Differences
This shows you the differences between two versions of the page.
| Both sides previous revision Previous revision Next revision | Previous revision | ||
| 배규호:교차영역 [2017/06/23 16:33] – 참고문헌 작업 내일 할것임 bekuho | 배규호:교차영역 [2023/09/05 15:46] (current) – external edit 127.0.0.1 | ||
|---|---|---|---|
| Line 1: | Line 1: | ||
| ======교차영역(Cross section)====== | ======교차영역(Cross section)====== | ||
| - | 자성체 시료의 특성 중 하나인 감수율을 측정하는 상황을 생각해보자. 이 경우에 전하를 가지지 않고 물질을 거의 " | + | 자성체 시료의 특성 중 하나인 감수율을 측정하는 상황을 생각해보자. 이 경우에 전하를 가지지 않고 |
| - | 왜냐하면 외부 장 h에 대해 | + | 왜냐하면 외부 장 h에 영향을 받지 않으면서 |
| - | 이 조건을 만족하는 입자는 중성자가 있다. | + | 이 조건을 만족하는 입자는 중성자가 있다. |
| 만일 시료의 외부 장의 영향하에 바뀐 자기장이 중성자의 궤적을 산란시킨다면 입자를 산란시킨 부분에 대한 서술을 할 수 있을것이다. | 만일 시료의 외부 장의 영향하에 바뀐 자기장이 중성자의 궤적을 산란시킨다면 입자를 산란시킨 부분에 대한 서술을 할 수 있을것이다. | ||
| Line 23: | Line 23: | ||
| $$ \Big< | $$ \Big< | ||
| - | 위 식은 스핀 분포에 대한 기댓값의 제곱 평균이다. 스핀의 정렬이 무작위적일수록 산란된 | + | 위 식은 스핀 분포에 대한 |
| 스핀 분포를 푸리에 공간의 변수로 바꿔서 생각하면 조금 더 이해하기가 쉽다. | 스핀 분포를 푸리에 공간의 변수로 바꿔서 생각하면 조금 더 이해하기가 쉽다. | ||
| Line 35: | Line 35: | ||
| \begin{equation*} | \begin{equation*} | ||
| \begin{split} | \begin{split} | ||
| - | \Gamma_{fi} & | + | \Gamma_{fi} & |
| - | & | + | & |
| - | & | + | & |
| \end{split} | \end{split} | ||
| \end{equation*} | \end{equation*} | ||
| Line 45: | Line 46: | ||
| 산란실험에서 관측 가능한 값들은 시료에 들어가는 입자의 운동량과 나오는 운동량을 측정할 수 있을것이다. | 산란실험에서 관측 가능한 값들은 시료에 들어가는 입자의 운동량과 나오는 운동량을 측정할 수 있을것이다. | ||
| - | 이때 $k = 0$에서 진폭이 최대일텐데 스핀이 잘 정렬된 상태에서 | + | 이 때 먼저 운동량의 차이 |
| - | 진폭이 | + | 입사시키면 |
| - | 가진다고 생각하면 된다. 임계온도 근처로 갈수록 잘 정렬된 스핀값을 | + | 위해 입사시키는 중성자의 운동량을 잘 조정해준다면 |
| - | + | ||
| - | 시료에 입사시킨다면 $k = 0$에서 최대값을 얻을 것이다. | + | |
| 실험 데이터를 토대로 할 때 온도가 임계온도에 가까울수록 이 진폭이 커지며 모멘텀 운반자 $k$에 대해 | 실험 데이터를 토대로 할 때 온도가 임계온도에 가까울수록 이 진폭이 커지며 모멘텀 운반자 $k$에 대해 | ||
| Line 59: | Line 58: | ||
| 의 결과를 일반적으로 얻는다고 한다. 이때 지수 $\eta$또한 임계지수라고 부른다. | 의 결과를 일반적으로 얻는다고 한다. 이때 지수 $\eta$또한 임계지수라고 부른다. | ||
| - | ===참고문헌=== | + | 더 나아가서 이 결과는 수학적으로 [[: |
| + | |||
| + | ======참고문헌====== | ||
| + | |||
| + | * MA, Shang-Keng. Modern theory of critical phenomena. Da Capo Press, 2000. | ||