이징 모형의 해밀토니안은 다음과 같이 쓰여진다: H=−J∑(ij)∈BSiSj−h∑iSi. 이 때 (ij)는 스핀 i와 j를 연결하는 선이며 B는 모든 연결선의 집합이다.
N개의 스핀이 있을 때 분배 함수는 Z=∑S1=±1∑S2=±1⋯∑SN=±1e−βH=∑Se−βH=Tr~e−βH 로서, 이 때 S는 모든 스핀 상태의 집합이고 β≡(kBT)−1이며, Tr은 대각합(trace)의 준말이다.
스핀 상태 S를 발견할 확률을 P(S)라고 하면 자기화(magnetization) m은 다음처럼 표현된다: m=1N⟨∑iSi⟩=1NTr[(∑iSi)P(S)]. 공간적으로 나란히 옮김에 대해 불변한다면 m은 특정 위치에 의존하지 않는다.
Si가 m에서 벗어나는 정도를 δSi=Si−m이라고 칭하자. δSi의 이차항부터는 작아서 무시할 수 있다고 가정한다면 위의 해밀토니안은 아래처럼 근사할 수 있다: H=−J∑(ij)∈B[(m+δSi)(m+δSj)]−h∑iSi ≈−J∑(ij)∈B[m2+m(δSi+δSj)]−h∑iSi =−J∑(ij)∈B[m2+m(Si+Sj−2m)]−h∑iSi =NBJm2−Jm∑(ij)∈B[(Si+Sj)]−h∑iSi =NBJm2−2Jm∑(ij)∈BSi−h∑iSi =NBJm2−Jmz∑iSi−h∑iSi =NBJm2−(Jmz+h)∑iSi. 이 때 NB는 전체 연결선의 수, z는 한 스핀 당 연결선의 수를 의미한다. 그러니까 연결선을 따라 더하면(∑(ij)∈B) 각 스핀은 z/2번 더해지는 것에 해당한다 (한 연결선이 두 개의 스핀에 공유되므로 1/2).
이렇게 근사적인 해밀토니안을 분배함수 식에 대입하면 Z=Tr~exp[β(NBJm2−(Jmz+h)∑iSi)] =e−βNBJm2[2coshβ(Jmz+h)]N 이고 대각합 계산으로부터 자기화가 만족해야 하는 식 m=1ZTr~Sie−βH=tanhβ(Jmz+h) 를 얻는다.
모든 스핀이 서로 연결된 이징 모형의 경우 평균장 이론은 정확한 답을 준다. 이 때의 해밀토니안은 H=−J2N∑i≠jSiSj−h∑iSi 이다. 첫 항의 1/2은 각 스핀쌍이 한 번씩만 나타나도록 추가한 것이고 1/N은 해밀토니안을 크기 변수로 만들기 위해서이다.
첫 번째 항의 합을 다음처럼 고쳐 쓸 수 있다: ∑i≠jSiSj=(∑iSi)2−N. 따라서 분배함수는 Z=Trexp[βJ2N(∑iSi)2−βJ2+βh∑iSi] 이 된다. 이 중 βJ/2는 상수이고 물리에 아무런 영향을 끼치지 않으므로 무시한다.
허바드-스트라토노비치 변환에 의하면 eax2/2=√aN2π∫∞−∞dm e−Nam2/2+√Namx 이므로 a=βJ과 x=1√N∑iSi를 대입하면 eβJ21N(∑iSi)2=βJN2π∫∞−∞dm e−NβJm2/2+βJm∑iSi 이다. 여기에 대각합을 걸면 ∑iSi에만 걸리므로, 결과적으로 분배함수는 Z=Tr√βJN2π∫∞−∞dm e−NβJm2/2+β(Jm+h)∑iSi =√βJN2π∫∞−∞dm e−NβJm2/2[2coshβ(Jm+h)]N =√βJN2π∫∞−∞dm exp{−NβJm22+Nln[2coshβ(Jm+h)]} 이 된다.
안장점 근사 방법에 의하면 N→∞에서 가장 큰 기여분은 아래 방정식이 만족될 때 얻어진다: ∂∂m{−βJm22+ln[2coshβ(Jm+h)]}=0. 이는 위에서 구한 m=tanhβ(Jm+h)와 같은 식이다.
여기에서 m은 단순히 적분변수로서 등장했음에 유의하라. 그럼에도 m이라는 기호를 쓴 것은 여기에 직접적인 물리적 의미를 줄 수 있기 때문이다. 처음의 분배함수 식 Z=Tr√βJN2π∫∞−∞dm e−NβJm2/2+β(Jm+h)∑iSi 에 안장점 근사 방법을 적용하면 ∂∂m{−βJm22+β(Jm+h)1N∑iSi}=0 이 되면서 m=1N∑iSi임을 확인할 수 있다.